Samsung произвела первые модули DDR4 ёмкостью 128 Гбайт

Главная Новости (архив) Архив новостей Samsung произвела первые модули DDR4 ёмкостью 128 Гбайт
1 ответ(ов) в теме
BIOHAZARD
не в сети давно
На сайте с 22.07.2012
Участник
0
10:16

Samsung сообщила, что вчера приступила к серийному производству первых в мире модулей DDR4 RAM ёмкостью 128 Гбайт с применением технологии TSV ("Through Silicon Via"). Однако геймерам вряд ли стоит потирать от радости руки, потому что модули адресованы корпоративным клиентам. Samsung с гордостью говорит о "самой большой ёмкости и энергоэффективности модулей DRAM, достигнутых на сегодняшний день".

Исполнительный вице-президент Samsung Сун Джу Чой говорит о том, что новые модули TSV DRAM ёмкостью 128 Гбайт позволят развить новые корпоративные решения. Каждый из модулей состоит из 144 чипов DDR4, расположенных в 36 блоках DRAM ёмкостью 4 Гбайт. Те в свою очередь состоят из четырёх чипов ёмкостью 8 Гбит, созданных по 20-нм техпроцессу. Метод TEC позволяет достичь того, чтобы отдельные чипы были компактны и эффективно связаны друг с другом. Кроме того, Samsung применяет специальный дизайн, в котором базовый кристалл каждого 4-Гбайт блока обладает функцией буфера данных, и это позволяет оптимизировать производительность и потребление энергии.

Форум

Samsung заявляет, что в результате получено энергоэффективное решение DDR4 со скоростью до 2400 Mбит/с. Это стало возможным благодаря технологии Samsung TSV.

Samsung также планирует новые производительные модули TSV-DDR4 RAM разных ёмкостей со скоростью 2667 или даже 3200 Mбит/с в ближайшем будущем. Они будут также адресованы корпоративным клиентам и операторам корпоративных серверов. В то же самое время технология TSV найдёт своё применение в накопителях HBM и решениях для потребителей.

источник

Редакции сообщения
0

Ваше имя *

Ваш E-mail *

не публикуется

Текст сообщения *